پوهه

د سولر فوټوولټیک لپاره د N-type او P-ډول مونوکریسټالین سیلیکون ویفرونو ترمینځ اصلي توپیرونه

د لمریز فوتوولټیک لپاره د N-type او P-ډول مونوکریسټالین سیلیکون ویفرونو ترمنځ اصلي توپیرونه

Monocrystalline سیلیکون ویفرونه د نیم فلزاتو فزیکي ځانګړتیاوې لري، د ضعیف چلونکي سره، او د تودوخې په زیاتیدو سره د دوی چلونکي زیاتیږي. دوی د پام وړ سیمی کنډکټینګ ملکیتونه هم لري. د لږ مقدار بورون سره د الټرا خالص مونوکریسټالین سیلیکون ویفرونو په ډوپ کولو سره ، چالکتیا د P ډول سیلیکون سیمیکمډکټر رامینځته کولو لپاره لوړه کیدی شي. په ورته ډول، د لږ مقدار فاسفورس یا ارسنیک سره ډوپینګ کولی شي چالکتیا زیاته کړي، د N-ډول سیلیکون سیمیکمډکټر جوړوي. نو، د P-type او N-type سیلیکون ویفرونو ترمنځ توپیرونه څه دي؟

د P-type او N-type monocrystalline سیلیکون ویفرونو ترمنځ اصلي توپیرونه په لاندې ډول دي:

ډوپانت: په مونوکریسټالین سیلیکون کې، د فاسفورس سره ډوپینګ دا N-type کوي، او د بورون سره doping دا P-ډول کوي.

چال چلن: N-ډول د الکترون ترسره کوونکی دی، او P-ډول سوری ترسره کوونکی دی.

فعالیت: هرڅومره چې فاسفورس په N ډول کې ډوب شي ، هومره وړیا الکترونونه شتون لري ، هومره قوي چلونکي ، او مقاومت ټیټ وي. څومره چې بوران په P-ډول کې ډوب کیږي، هومره سوري د سیلیکون په ځای کولو سره رامینځته کیږي، چالکتیا یې پیاوړې کیږي، او مقاومت ټیټ وي.

اوس مهال، د P-ډول سیلیکون ویفرونه د فوتوولټیک صنعت کې اصلي محصولات دي. د P-ډول سیلیکون ویفرونه د جوړولو لپاره ساده دي او ټیټ لګښت لري. د N-type سیلیکون ویفرونه معمولا د لږکیو کیریر اوږد عمر لري ، او د لمریز حجرو موثریت لوړ کیدی شي ، مګر پروسه خورا پیچلې ده. د N-type سیلیکون ویفرونه د فاسفورس سره ډک شوي، کوم چې د سیلیکون سره ضعیف محلول لري. د راډ انځور کولو په جریان کې، فاسفورس په مساوي ډول نه ویشل کیږي. د P-type سیلیکون ویفرونه د بورون سره ډوب شوي، کوم چې د سیلیکون سره ورته جلا کولو کوفینټ لري، او د خپریدو یونیفارم کنټرول اسانه دی.